دراسة الخصائص المغناطيسية البينية للواجهة الهجينة Co / C60
Title Investigation of Interfacial Magnetic Properties of Co/C60 Hybrid Interface
الباحث الرئيس عبدالله رجاءالله دليم المحمدي
الباحثون المشاركون
التخصص: الفيزياء
التخصص الدقيق: فيزياء تطبيقية
المستخلص: يوضح العمل الحالي دراسة تفصيلية للخصائص المغناطيسية البينية للكوبالت/ (Co) الفوليرين((C60 استناداً إلى الواجهة الهجينة المغناطيسية / العضوية (ف/ و). لقد تم تحليل الخصائص الهيكلية البينية لـ Co, C60 والواجهة الهجينة بواسطة انعكاس الأشعة السينية، على حد سواء حسابيا وتجريبيا. أظهرت النتائج أن الأفلام المزروعة لها سطح أملس (خشونة < 0.5 نانومتر والتداخل في الواجهة بين الطبقات العضوية وغير العضوية أقل من 1 نانومتر. تمت دراسة الحقن الدوراني في الواجهة الهجينة عن طريق تسجيل حلقة التباطؤ المغناطيسي عند 100 كلفن والإنتاج الضوئي للواجهه الهجينة تحت الجهد المطبق والمجال المغناطيسي. لقد لوحظ أنه نظراً لنقل الإلكترونات المستقطبة فإن الدوران بين الأقطاب في واجهة ف/و يقلل التصوير الضوئي لـ C60 وتزيد قهرية الكوبالت مما يؤدي إلى استقطاب حوالي 18% من الناقلات التي تم حقنها في C60. اخيراً، تمت دراسة أداء تقاطع النفق القائم على C60 في اختبار تكوين الجهاز Co/Al2O3/C60/Py . يتم الحصول على مقاومة مغناطيسية تصل إلى 10% للجهاز الذي يحتوي على طبقة C60 بسمك 10 نانومتر.
Abstract: The present work demonstrates a detail investigation of interfacial magnetic properties of cobalt (Co)/fullerene (C60) based ferromagnetic/organic (F/O) hybrid interface. The interfacial structural properties of Co, C60 and hybrid interface have been analyzed by X-ray reflectivity (XRR), both computationally and experimentally. The results shows that the grown films have smooth surface (roughness < 0.5 nm) and intermixing at the interface between organic and inorganic layers is less than 1 nm. The spin injection at the hybrid interface was studied by recording the magnetic hysteresis loop at 100 K and photoemission of hybrid interface under the applied bias and magnetic field. It has been observed that due to interfacial spin polarized electron transfer at F/O interface, the photoemission of C60 reduces, coercivity of the cobalt increases which give about 18% spin polarization of the carriers injected in C60. Finally, the performance of C60 based tunnel junction have been studied in the device configuration viz. Co/Al2O3/C60/Py. The magneto resistance (MR) of up to 10 % is obtained for device which having C60 layer of thickness 10 nm.
الحالة: محكم ومنشور
جهة التحكيم: The Journal of Engineering, Science and Computing