الباحثون المشاركون

التخصص: الفيزياء

التخصص الدقيق: فيزياء تطبيقية

المستخلص: تم تبخير تركيبات مختلفة من الغشاء الرقيق من سيلينيوم الكادميوم مع الكبريت باستخدام طريقة التبخر الحراري. تم استخدام نمط (نموذج) حيود (تشتت) الأشعة السينية لتعيين معاملات الطور والتركيب الدقيق (المجهري). تمت دراسة الثوابت الضوئية للأغشية الرقيقة لسيلينيوم الكادميوم مع الكبريت كدالة لطاقة الفوتون في مدى الطول الموجي من 400 نانومتر الي 2500 نانومتر. تم تعيين كل من معامل الانكسار وسماكة الشريحة (الفيلم) باستخدام طريقة الظرف المغلف التي اقترحها Swanepoel. وجد أن معامل الانكسار يتناقص بزيادة محتوى (مضمون) الكبريت. يوضح تحليل نتائج الامتصاص الضوئي أن قاعدة الانتقالات المباشرة هي السائدة لجميع الشرائح (الأفلام). لقد وجد ان قيم طاقة الفجوة للشرائح الرقيقة من سيلينيوم الكادميوم مع الكبريت تزداد مع زيادة مضمون (محتوي) الكبريت علي حساب السيلينيوم. الاهمية الرئيسية (الاساسية) للشريحة الرقيقة من سيلينيوم الكادميوم مع الكبريت هو تغيير طاقة الفجوة عند دمج الكبريت في سيلينيوم الكادميوم. يتم التوصية لهذا التغيير في كل من معامل الانكسار وطاقة الفجوة لشريحة رقيقة من سيلينيوم الكادميوم مع الكبريت لأجهزة الإلكترونيات الضوئية والخلايا الشمسية الكهروضوئية. تم توضيح (شرح) الزيادة في قيم طاقة الفجوة في مصطلح التغيير في معاملات التركيب الدقيق (المجهري).

Abstract: Different compositions of CdSe1-xSx thin film have been evaporated using thermal evaporation method. X-ray diffraction pattern has been used to determine the phase and microstructural parameters. The optical constants of CdSe1-xSx thin film have been studied as a function of photon energy in the wavelength range 400 - 2500 nm. Both refractive index and film thickness have been determined using envelop method that suggested by Swanepoel. The refractive index found to be decrease with increasing the S content. Analysis of the optical absorption data shows that the rule of direct transitions predominates for all films. The energy gap, opt gE values of CdSe1-xSx thin films were found to be increased with increasing the S content as expense of Se. The main importance of CdSe1-xSx thin film is the change of band gap when incorporating S into the CdSe. This change in both refractive index and energy gap recommend CdSe1-xSx thin film for optoelectronics devices and photovoltaic solar cells. The increasing in opt gE values was explained in term the change in microstructure parameters.

الحالة: محكم ومنشور

جهة التحكيم: مجلة محكمة

دار النشر: National Institute of Materials Physics

سنة النشر: 2019